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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
相違点
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考慮すべき理由
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
51
周辺 -46% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.8
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.9
1,839.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
35
読み出し速度、GB/s
4,246.9
9.8
書き込み速度、GB/秒
1,839.1
7.9
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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