Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

総合得点

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

総合得点

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

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Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

33 34

周辺 -3% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.6 16.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.8 9.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 10600

周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

34 33
読み出し速度、GB/s

16.2 17.6
書き込み速度、GB/秒

9.7 12.8
メモリ帯域幅、mbps

10600 25600

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2636 3166

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

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Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

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G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

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