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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
50
周辺 42% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.2
16.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
12.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
50
読み出し速度、GB/s
16.9
17.2
書き込み速度、GB/秒
12.0
13.1
メモリ帯域幅、mbps
19200
19200
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2601
3277
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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