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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
総合得点
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
29
周辺 -7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
16.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
12.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
27
読み出し速度、GB/s
16.9
17.4
書き込み速度、GB/秒
12.0
14.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
25600
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
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