RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 38
    周辺 24% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 9.1
    テスト平均値
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB 考慮すべき理由
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    16.9 left arrow 13.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2601 left arrow 2404

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAMの比較

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
メモリRAM