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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比較する
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
総合得点
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
39
周辺 26% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
14.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
10.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
39
読み出し速度、GB/s
16.9
14.3
書き込み速度、GB/秒
12.0
10.8
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2601
2159
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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