Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

総合得点
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 41
    周辺 41% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.0 left arrow 7.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13% 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 8.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.0 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2445 left arrow 2126
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