RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

総合得点
star star star star star
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
バグを報告する
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB 考慮すべき理由
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 24
    周辺 -26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 11.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 20.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.0 left arrow 17.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2445 left arrow 3499

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
メモリRAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Jinyu 16GB
Jinyu 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
メモリRAM