RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
比較する
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
総合得点
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
40
周辺 -25% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.6
12.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
32
読み出し速度、GB/s
12.6
16.6
書き込み速度、GB/秒
7.8
13.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2209
3357
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAMの比較
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Inmos + 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link