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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
総合得点
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
総合得点
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
44
73
周辺 40% 低遅延
考慮すべき理由
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.2
12.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
73
読み出し速度、GB/s
12.6
15.2
書き込み速度、GB/秒
8.6
9.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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