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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB vs Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
総合得点
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
30
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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書き込み速度の高速化、GB/s
14.7
13.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
30
読み出し速度、GB/s
17.4
17.4
書き込み速度、GB/秒
13.0
14.7
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3398
3527
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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