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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
比較する
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
総合得点
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
52
77
周辺 32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
13.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
5.5
2,027.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
77
読み出し速度、GB/s
4,837.1
13.1
書き込み速度、GB/秒
2,027.0
5.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
794
1440
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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