Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

総合得点

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

総合得点

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

4 17.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,027.0 10.4

テスト平均値

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

考慮すべき理由
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

38 52

周辺 -37% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 6400

周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

52 38
読み出し速度、GB/s

4,837.1 17.9
書き込み速度、GB/秒

2,027.0 10.4
メモリ帯域幅、mbps

6400 25600

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

794 3030

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB

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G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB

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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB

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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

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V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

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Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB

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