Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

総合得点

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

総合得点

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 30

周辺 3% 低遅延

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

17 14.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.4 10.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

A-DATA Technology DDR4 3000 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

29 30
読み出し速度、GB/s

14.3 17.0
書き込み速度、GB/秒

10.1 13.4
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2227 3272

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB

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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB

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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

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Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB

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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

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