RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
比較する
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
総合得点
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
バグを報告する
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
29
周辺 -7% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18
14.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.1
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
27
読み出し速度、GB/s
14.3
18.0
書き込み速度、GB/秒
10.1
15.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2227
3711
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAMの比較
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link