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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比較する
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
総合得点
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
総合得点
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
39
周辺 26% 低遅延
考慮すべき理由
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
10.8
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
39
読み出し速度、GB/s
14.3
14.3
書き込み速度、GB/秒
10.1
10.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2227
2159
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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