RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
比較する
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
総合得点
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
総合得点
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,378.6
11.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
40
62
周辺 -55% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
40
読み出し速度、GB/s
4,670.6
14.8
書き込み速度、GB/秒
2,378.6
11.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
861
2786
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAMの比較
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link