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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
38
周辺 29% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.6
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
38
読み出し速度、GB/s
13.9
16.6
書き込み速度、GB/秒
8.4
13.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2251
3092
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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