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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
27
周辺 -17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.6
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
23
読み出し速度、GB/s
13.9
16.6
書き込み速度、GB/秒
8.4
12.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2251
2689
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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