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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB

総合得点
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

総合得点
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Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 35
    周辺 23% 低遅延
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB 考慮すべき理由
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2251 left arrow 2824

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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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