RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
比較する
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
39
周辺 -11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.2
13.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.2
8.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
35
読み出し速度、GB/s
13.2
16.2
書き込み速度、GB/秒
8.2
13.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2165
3299
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB RAMの比較
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB RAMの比較
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link