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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
比較する
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
30
周辺 17% 低遅延
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
12.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
30
読み出し速度、GB/s
12.1
16.9
書き込み速度、GB/秒
8.6
13.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2045
3257
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAMの比較
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB RAMの比較
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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