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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
総合得点
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
29
周辺 14% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16.2
12.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
29
読み出し速度、GB/s
12.1
16.2
書き込み速度、GB/秒
8.6
13.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2045
3221
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
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