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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
総合得点
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
33
周辺 24% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18.5
12.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
33
読み出し速度、GB/s
12.1
18.5
書き込み速度、GB/秒
8.6
13.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2045
3341
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Frequency (Mhz) *
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