RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 39
    周辺 36% 低遅延
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 12.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.2 left arrow 8.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    12.1 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 10.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2045 left arrow 2359

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAMの比較

Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB

SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
メモリRAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
メモリRAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
メモリRAM