Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

総合得点

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

総合得点

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 41

周辺 -37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.3 13.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.4 9.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

41 30
読み出し速度、GB/s

13.9 16.3
書き込み速度、GB/秒

9.7 12.4
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2366 2489

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB

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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

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Kingston KY7N41-MID 8GB

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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

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G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

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Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB

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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

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