RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 41
    周辺 -32% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.2 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.7 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2366 left arrow 3672

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAMの比較

Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB RAMの比較

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
メモリRAM