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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
総合得点
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
41
周辺 -37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
9.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
30
読み出し速度、GB/s
13.9
16.0
書き込み速度、GB/秒
9.7
10.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2366
3026
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Frequency (Mhz) *
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