RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
バグを報告する
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 41
    周辺 -11% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.7 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2366 left arrow 2873

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAMの比較

Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB RAMの比較

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
メモリRAM
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
メモリRAM