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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
総合得点
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
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考慮すべき理由
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
39
周辺 -44% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.7
12.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.8
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
27
読み出し速度、GB/s
12.5
18.7
書き込み速度、GB/秒
8.1
15.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2096
3712
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
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