RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB

総合得点
star star star star star
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB 考慮すべき理由
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 19.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,001.3 left arrow 14.3
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 58
    周辺 -115% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    58 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    4,796.5 left arrow 19.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,001.3 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    768 left arrow 3040

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAMの比較

Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
メモリRAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
INTENSO 5641160 8GB
INTENSO 5641160 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
メモリRAM