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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
InnoDisk Corporation 16GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB

総合得点
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

総合得点
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InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB 考慮すべき理由
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
バグを報告する
InnoDisk Corporation 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 58
    周辺 -53% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    7.7 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 2,001.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    58 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    4,796.5 left arrow 7.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,001.3 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    768 left arrow 2163

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
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メモリRAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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