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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
比較する
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
総合得点
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
総合得点
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
10.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
58
周辺 -87% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
5.3
2,001.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
58
31
読み出し速度、GB/s
4,796.5
10.4
書き込み速度、GB/秒
2,001.3
5.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
768
1740
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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