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Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

総合得点
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Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB

Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB 考慮すべき理由
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.9
    テスト平均値
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 71
    周辺 -129% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 1,703.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    71 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    3,817.6 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,703.8 left arrow 15.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    628 left arrow 3650

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Kingston 9965589-008.D01G 8GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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メモリRAM
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
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Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
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Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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