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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

総合得点
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

総合得点
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Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 65
    周辺 -91% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 4.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.2 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    985 left arrow 2960

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAMの比較

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Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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