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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
総合得点
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
総合得点
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
65
周辺 -150% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.5
6.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.1
4.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
8500
周辺 2.26 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
26
読み出し速度、GB/s
6.1
18.5
書き込み速度、GB/秒
4.2
14.1
メモリ帯域幅、mbps
8500
19200
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3596
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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