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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

総合得点
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

総合得点
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 65
    周辺 -124% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.9 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 4.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.2 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    985 left arrow 3311

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Kingston 9905711-035.A00G 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
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メモリRAM
Golden Empire CL11-11-11 D3-1600 4GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
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メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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