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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
総合得点
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
65
周辺 -141% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18
6.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.1
4.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8500
周辺 2.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
27
読み出し速度、GB/s
6.1
18.0
書き込み速度、GB/秒
4.2
15.1
メモリ帯域幅、mbps
8500
21300
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
985
3711
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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