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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB

総合得点
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

総合得点
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Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB

Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB 考慮すべき理由
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 65
    周辺 -124% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.1 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 4.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 20.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.2 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    985 left arrow 3632

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Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
メモリRAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
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G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 9932291-002.A00G 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
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Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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