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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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考慮すべき理由
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
40
65
周辺 -63% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.6
6.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.8
4.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8500
周辺 2.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
40
読み出し速度、GB/s
6.1
16.6
書き込み速度、GB/秒
4.2
9.8
メモリ帯域幅、mbps
8500
21300
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
985
2875
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
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