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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

総合得点
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

総合得点
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Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    54 left arrow 71
    周辺 24% 低遅延
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.8 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 6.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 71
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.7 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1929 left arrow 1799

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メモリRAM
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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メモリRAM
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Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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