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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

総合得点
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

総合得点
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Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB 考慮すべき理由
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 54
    周辺 -38% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 6.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.7 left arrow 9.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1929 left arrow 2529

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston KY7N41-MIE 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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メモリRAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
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メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
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メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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