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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
総合得点
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
総合得点
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
27
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18.1
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.3
8.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
27
読み出し速度、GB/s
13.8
18.1
書き込み速度、GB/秒
8.2
15.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2152
3733
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
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