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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

総合得点
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

総合得点
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A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 32
    周辺 19% 低遅延
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 14200
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    14200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2558 left arrow 2968

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メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
メモリRAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
メモリRAM
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Kingston 9965662-002.A01G 16GB
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メモリRAM
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Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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メモリRAM
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Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
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