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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

総合得点
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 36
    周辺 28% 低遅延
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 14200
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    14200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2558 left arrow 3169

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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
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メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
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メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Kingston 9905622-025.A00G 4GB
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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