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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

総合得点
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

総合得点
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Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB 考慮すべき理由
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 26
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 14200
    周辺 1.8 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 16.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    14200 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2558 left arrow 3908

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Kingston 9965604-001.D00G 16GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
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Corsair VS1GB800D2 1GB
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