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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

総合得点
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

総合得点
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Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 28
    周辺 7% 低遅延
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB 考慮すべき理由
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 14200
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 14.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    14200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2558 left arrow 3366

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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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