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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB

総合得点
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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

総合得点
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Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB

Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
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Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB 考慮すべき理由
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 41
    周辺 -32% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 12.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    12.5 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2087 left arrow 2847

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G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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