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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
比較する
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
総合得点
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
総合得点
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
41
62
周辺 34% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
7.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
12.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
62
読み出し速度、GB/s
12.5
16.7
書き込み速度、GB/秒
8.2
7.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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