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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

総合得点
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

総合得点
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Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 37
    周辺 35% 低遅延
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.4 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2267 left arrow 2990

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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston X3XCFP-HYA 8GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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